近日，Vishay 推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱(chēng)功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EPN溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進(jìn)小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對(duì)稱(chēng)封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個(gè)不對(duì)稱(chēng)封裝里，尺寸較大的低邊MOSFET導(dǎo)通電阻較低，較小的高邊MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快，可替換性能 較低的標(biāo)準(zhǔn)雙片器件，而標(biāo)準(zhǔn)器件會(huì)限制大電流、高頻率的同步降壓設(shè)計(jì)使用最優(yōu)的MOSFET組合。相比于使用分立器件，這兩顆器件占用的電路板空間更少， 能實(shí)現(xiàn)更小尺寸的PCB設(shè)計(jì)。

該器件可在 175℃高溫下工作，能夠滿足信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)載信息服務(wù)、導(dǎo)航和LED照明等汽車(chē)應(yīng)用對(duì)耐用性 和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓( 8V的應(yīng)用，通道2的低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應(yīng)用，最大導(dǎo)通電阻為3.7mΩ，稍高一些。兩顆器件都進(jìn)行了100%的柵極電阻和雪崩測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。